詳細說明

特性說明：

 

- 可搭配4" (100 mm)及6" (150 mm)晶片

- 落地式系統可降低使用的樓地板面積

- 高信賴性及低總體成本

- 可搭配真空系統及製程氣體控制環境

- 不銹鋼冷壁式技術提供極高的製程再現性、潔淨度及無污染的環境，更擁有極快的降溫速度及低的記憶效應

- 高溫計搭配熱電耦型溫度計，再輔以最先進的數位PID控制，提供從低溫至高溫區段的精準溫度控制

- 邊緣高溫計的窺視窗可加強樣品座的溫度控制，提升化合物半導體及小樣品的溫度精準度

- 可提供客戶傑出的技術及製程支援

應用產業：

 

• RTA (Rapid Thermal Annealing) 快速升溫退火

• RTO (Rapid Thermal Oxidation) 快速升溫氧化

• Contact annealing 接觸層退火

• Implant annealing 摻雜退火

• CVD of graphene 石墨烯CVD

• CVD of carbon nanotube 奈米碳管CVD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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• Implant annealing
• Contact annealing (III-V and SiC)
• Rapid Thermal Oxidation (RTO)
• Rapid Thermal Nitridation (RTN)
• Selenization (CIGS solar cells)
• Silicon carbonization
• Sol-gel densification and crystallization
• Diffusion from spin-on dopants
•  
• Simple and multi-metallic oxides
• Metals, nitrides and alloys
• III-V, wide band gap semiconductors
• 2D and 3D materials
• hBN, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, Graphene
•  
• SiC implant annealing
• CVD of graphene
• Graphene by high temperature SiC sublimation