詳細說明

特性說明

• 鎢加熱系統
• 簡易基板/晶圓載入
• 不銹鋼冷壁系統
• 快速數位化PID溫度控制
• 高溫計控溫
• 可進行常壓或真空製程
• 最高可裝配8個氣體管路，搭配數位流量計
• PC控制搭配Ethernet通訊以快速載入資訊

 

應用領域

• SiC implant annealing / 碳化矽離子植入後退火
• CVD of graphene / 石墨烯CVD製備
• Graphene by high temperature SiC sublimation / 高溫碳化矽昇華法之石墨烯製配
• Etc.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

• Implant annealing
• Contact annealing (III-V and SiC)
• Rapid Thermal Oxidation (RTO)
• Rapid Thermal Nitridation (RTN)
• Selenization (CIGS solar cells)
• Silicon carbonization
• Sol-gel densification and crystallization
• Diffusion from spin-on dopants
•  
• Simple and multi-metallic oxides
• Metals, nitrides and alloys
• III-V, wide band gap semiconductors
• 2D and 3D materials
• hBN, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, Graphene
•  
• SiC implant annealing
• CVD of graphene
• Graphene by high temperature SiC sublimation