詳細說明

特性說明

• 多區域紅外線鹵素燈爐管，搭配閉迴路氣冷裝置
• 不銹鋼冷壁系統技術
• 快速數位化PID溫度控制
• 熱電偶溫度計及高溫計控溫
• 可進行常壓或真空製程
• 最高可裝配8個氣體管路，搭配數位流量計及1條排氣管路
• PC控制搭配Ethernet通訊以快速載入資訊
• 可選配Turbo pump及壓力控制
• 手動或卡匣對卡匣自動載入基板/晶圓

 

可用基板/晶圓材質

• Silicon wafers / 矽晶圓
• Compound semiconductor wafers / 化合物半導體晶圓
• GaN/Sapphire wafers for LEDs / LED領域用GaN/藍寶石基板
• Silicon carbide wafers / 碳化矽晶圓
• Poly silicon wafers for solar cells / 太陽能用多晶矽晶圓
• Glass substrates / 玻璃基板
• Metals / 金屬
• Polymers / 聚合物
• Etc…

 

應用領域

• Implant annealing / 離子植入後退火
• Ohmic contact annealing (III-V and SiC) / 歐姆接面退火 (III-V族及SiC領域)
• Silicon carbonization / 矽碳化
• Rapid Thermal Oxidation (RTO) / 快速高溫氧化
• Rapid Thermal Nitridation (RTN) / 快速高溫氮化
• Diffusion from spin-on dopants / 旋轉塗佈摻雜後擴散
• Densification and crystallization / 緻密化及結晶化
• Selenization / 硒化
• Etc.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

• Implant annealing
• Contact annealing (III-V and SiC)
• Rapid Thermal Oxidation (RTO)
• Rapid Thermal Nitridation (RTN)
• Selenization (CIGS solar cells)
• Silicon carbonization
• Sol-gel densification and crystallization
• Diffusion from spin-on dopants
•  
• Simple and multi-metallic oxides
• Metals, nitrides and alloys
• III-V, wide band gap semiconductors
• 2D and 3D materials
• hBN, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, Graphene
•  
• SiC implant annealing
• CVD of graphene
• Graphene by high temperature SiC sublimation