詳細說明

特性說明：

 

- 研發用3"快速升溫處理，可搭配抽真空功能

- 樣品尺寸：數mm2;~3"，可選配搭載2"樣品的樣品座(本身3")

- 搭配不銹鋼法蘭的石英管型製程腔體

- 管型紅外線鹵素燈管烤爐，具極高的升溫速率(> 250°C/s)

- 裝載石英座的平移式腔門，可快速上下片，簡易執行溫度計安裝

- 溫度量測搭配快速數位式PID控制器，確保整個溫度範圍內精準的溫度控制

- 可搭載高溫計控制

- 可搭載雙腔體以管控交叉污染

 

應用產業：

 

• Rapid Thermal Annealing 快速升溫退火

• Implantation annealing 摻雜後退火

• Contact annealing 接觸層退火

• Crystallization and Densification 結晶化及緻密化

• Etc. 其他

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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• Implant annealing
• Contact annealing (III-V and SiC)
• Rapid Thermal Oxidation (RTO)
• Rapid Thermal Nitridation (RTN)
• Selenization (CIGS solar cells)
• Silicon carbonization
• Sol-gel densification and crystallization
• Diffusion from spin-on dopants
•  
• Simple and multi-metallic oxides
• Metals, nitrides and alloys
• III-V, wide band gap semiconductors
• 2D and 3D materials
• hBN, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, Graphene
•  
• SiC implant annealing
• CVD of graphene
• Graphene by high temperature SiC sublimation