產品及服務介紹
AS-One 200
詳細說明
特性說明:
- 樣品尺寸可達200x200 mm2;;
- 落地式系統可降低使用的樓地板面積
- 高信賴性及低總體成本
- 不銹鋼冷壁式技術提供極高的製程再現性、潔淨度及無污染的環境,更擁有極快的降溫速度及低的記憶效應
- 上側燈源、下側燈源及上下側燈源等不同架構可供選擇,多區域的燈源控制以提升溫度均一性
- 高溫計搭配熱電耦型溫度計,再輔以最先進的數位PID控制,提供從低溫至高溫區段的精準溫度控制
- 邊緣高溫計的窺視窗可加強樣品座的溫度控制,提升化合物半導體及小樣品的溫度精準度
- 真空系統為標準備配,另有高真空系統(最低至10-6 mbar)可供選擇
應用產業:
• RTA (Rapid Thermal Annealing) 快速升溫退火
• RTO (Rapid Thermal Oxidation) 快速升溫氧化
• Diffusion 擴散
• Selenization, sulfuration 硒化、硫化
• Compound semiconductor annealing 化合物半導體退火
• Nitridation, Silicidation 氮化、矽化
• Crystallization and Densification 結晶化及緻密化
- Implant annealing
- Contact annealing (III-V and SiC)
- Rapid Thermal Oxidation (RTO)
- Rapid Thermal Nitridation (RTN)
- Selenization (CIGS solar cells)
- Silicon carbonization
- Sol-gel densification and crystallization
- Diffusion from spin-on dopants
- Simple and multi-metallic oxides
- Metals, nitrides and alloys
- III-V, wide band gap semiconductors
- 2D and 3D materials
- hBN, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, Graphene
- SiC implant annealing
- CVD of graphene
- Graphene by high temperature SiC sublimation